取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 80W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±30V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
