+86 15928527272
取消

STDCQR1-13M

Номер запчастей STDCQR1-13M
Классификация продукции Кристаллы
Производитель NDK
Описание CRYSTAL 13.0000MHZ 8PF SMD
Упаковка
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество 0
Состояние RoHS YES
Поделиться
Запасы:
Общее число

Количество

Цены

Общая цена

1

$0.7350

$0.7350

10

$0.6510

$6.5100

50

$0.6090

$30.4500

100

$0.5355

$53.5500

500

$0.5040

$252.0000

1000

$0.4200

$420.0000

3000

$0.4095

$1,228.5000

6000

$0.3885

$2,331.0000

15000

$0.3780

$5,670.0000

Получить информацию о предложении
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNDK
РядNX3225SA
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Емкость нагрузки8pF
Размер / Размер0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Тип монтажаSurface Mount
ТипMHz Crystal
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C
Стабильность частоты±25ppm
Допуск по частоте±15ppm
Рабочий режимFundamental
Высота - сидя (макс.)0.024" (0.60mm)
ESR (эквивалентное последовательное сопротивление)80 Ohms
Частота13 MHz
Похожие модели 
STD155N3LH6
意法-ST
N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封装
STD15N60M2-EP
意法-ST
N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD3LN80K5
意法-ST
N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装
STD2805
意法-ST
Low voltage fast-switching PNP power transistor
STD130N4F6AG
意法-ST
Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STD40NF03L
意法-ST
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STD20P3H6AG
意法-ST
Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STD40P8F6AG
意法-ST
汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装
STD120N4LF6
意法-ST
N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封装
STD13NM60N
意法-ST
N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
STD12NF06L-1
意法-ST
N沟道60 V、0.08 Ohm典型值、12 A STripFET II功率MOSFET,IPAK封装
STD80N10F7
意法-ST
N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装
STD170N4F7AG
意法-ST
汽车级N沟道40 V、2.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装
STD10NM60ND
意法-ST
N-channel 600 V, 570 mOhm typ., 8 A, FDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
STD11NM60N
意法-ST
N-channel 600 V, 0.37 Ohm, 10 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
STD1NK80ZT4
意法-ST
N-channel 800 V, 13 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package
STD8NF25
意法-ST
N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
STD3PK50Z
意法-ST
P-channel 500 V, 3 Ohm, 2.8 A DPAK, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET
STD3N40K3
意法-ST
N-channel 400 V, 2.7 Ohm typ., 2 A SuperMESH K3 Power MOSFET in a DPAK package
STD60NF3LL
德州仪器-TI
N-channel 30V - 0.0075Ω - 60A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET
STD64N4F6AG
意法-ST
汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装
STD10NM60N
意法-ST
N沟道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET,DPAK封装
STD6N80K5
意法-ST
N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装
STD150N3LLH6
意法-ST
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A, DPAK Power MOSFET
STDP6036
意法-ST
Triple input LCD controller for WUXGA applications
STD3NK50ZT4
意法-ST
N沟道500 V、2.8 Ohm典型值、2.3 A SuperMESH功率MOSFET,DPAK封装
STD16NF06L
意法-ST
N-channel 60 V, 0.060 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in DPAK package
STD9NM50N
意法-ST
N沟道500 V、0.73 Ohm、5 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
STD11NM65N
意法-ST
N沟道650 V、0.425 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
STD2N62K3
意法-ST
N沟道620 V、3 Ohm典型值、2.2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET,DPAK封装
STD7N60DM2
意法-ST
N沟道600 V、0.78 Ohm典型值、6 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
STD5N20L
意法-ST
N沟道200 V、0.65 Ohm、5 A STripFET(TM) 功率MOSFET,DPAK封装
STD12N60DM6
意法-ST
N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD7N80K5
意法-ST
N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装
STD4NK80Z-1
意法-ST
N沟道800 V、2.7 Ohm典型值、3 A SuperMESH功率MOSFET,IPAK封装
STD18N65M2-EP
意法-ST
N-channel 650 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD7ANM60N
意法-ST
N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
STD18N55M5
意法-ST
N沟道550 V、0.150 Ohm典型值、16 A MDmesh M5功率MOSFET,DPAK封装
STD10NF10T4
意法-ST
N沟道100 V、0.115 Ohm典型值、13 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封装
STD888
意法-ST
高电流高性能低压PNP晶体管
STD12N65M2
意法-ST
N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET,DPAK封装
STD12N50DM2
意法-ST
N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
STDP7310
意法-ST
Single-chip enhanced premium monitor controller
STD03N
Allegro
达林顿晶体管音频放大器 (Darlington Transistors for Audio Amplifiers)
STD3N80K5
意法-ST
N沟道800 V、2.8 Ohm典型值、2.5 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装
STD6NK50Z
意法-ST
N-CHANNEL 500V - 0.93͐2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
STD15P6F6AG
意法-ST
汽车级P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装
STD25NF10T4
意法-ST
N沟道100 V、0.033 Ohm典型值、25 A StripFET功率MOSFET,DPAK封装
STD7N52K3
意法-ST
N沟道525 V、0.72 Ohm、6 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET,DPAK封装
STD7NM80
意法-ST
N沟道800 V、0.95 Ohm、6.5 A MDmesh(TM) 功率MOSFET,DPAK封装

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 560 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 5.1K OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 43K OHM 5% 3W AXIAL
关闭
Inquiry
captcha

+86 15928527272
0